窄吸收线复合体 I：宽吸收线的一种形态
星系天体物理
2017-11-27 v1
摘要
我们发现部分宽吸收线（BALs）实际上是由窄吸收线（NALs）构成的复合体。作为此类 BAL 的先导研究，本文通过一个典型例子展示这一发现。利用斯隆数字巡天（SDSS）对 J002710.06-094435.3（以下简称 J0027-0944）的两历元观测，我们发现 C IV 与 Si IV 的每条 BAL 槽中都至少包含四个 NAL 双线。通过将 Si IV BAL 分解为多条 NAL，我们给出以下主要结果与结论。首先，所有这些 NAL 在两历元 SDSS 观测间均呈现协同变化，表明它们均起源于类星体外流，且其变化源于吸收气体电离条件的整体改变。其次，由若干 NAL 分量构成的 BAL 表明此类 BAL 本质上与内禀 NAL 相同，这倾向于支持倾角模型而非演化模型。第三，尽管 C IV 与 Si IV BAL 均源自外流的同一团块状子结构，它们却呈现不同的轮廓形状：Si IV BAL 在更宽速度范围内呈多重吸收槽，而 C IV BAL 在更窄速度范围内呈 P-Cygni 轮廓。这可由 Si IV {\lambda}{\lambda}1393, 1402 与 C IV {\lambda}{\lambda}1548, 1551 双线在精细结构与振子强度上的显著差异来解释。基于上述结论，我们认为将 BAL 分解为 NAL 可作为解析外流团块结构的一种手段，并且当利用高分辨率光谱与光致电离模型时，它可用于进一步了解团块结构特征并检验外流模型。
引用
@article{arxiv.1711.09047,
title = {Narrow absorption lines complex I: one form of broad absorption line},
author = {Wei-Jian Lu and Ying-Ru Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.09047},
year = {2017}
}