单个类星体中电离连续谱变化与宽吸收线之间的相关性
星系天体物理
2019-09-25 v1
摘要
在来自斯隆数字巡天-I/II/III 且具有至少五个历元观测的 21 个宽吸收线类星体中，我们发现了电离连续谱的分数变化与 C IV 和/或 Si IV 宽吸收线变化之间存在显著（显著性水平 >99%）的相关性。这一结果表明，电离连续谱的波动是大多数宽吸收线变化的驱动因素。其中，17 个表现出负相关，另外 4 个表现出正相关，这与光致电离模型的预测一致，即吸收线变化对电离变化的响应不是单调的。21 个样本中有 8 个类星体在短至几天的静止系时标上被观测了至少 30 次，这揭示了入射电离连续谱的变化即使在如此短的时间内也能引起宽吸收线变化。此外，我们发现这 21 个类星体中大多数在 Si IV 中的变化幅度大于 C IV，这揭示了这些宽吸收线（至少对于 C IV 宽吸收线）中饱和现象的普遍性。
引用
@article{arxiv.1908.03844,
title = {Correlations between the Variation of the Ionizing Continuum and Broad Absorption Lines in Individual Quasars},
author = {Wei-Jian Lu and Ying-Ru Lin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.03844},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 1 figure, accepted for publication in ApJ