基于 BiS2 超导体双轨道模型的 RPA 分析
强关联电子
2013-03-05 v1 超导电性
摘要
本文将随机相位近似 (RPA) 应用于 Usui 等人最近提出的基于 BiS2 的超导体的双轨道模型 (arXiv:1207.3888)。在改变每个 Bi 位点的掺杂电子密度 （范围 ）时，自旋涨落促进了具有相似配对强度的竞争性 A1g 和 B2g 超导态，这与在 pnictides 模型的 RPA 中发现的 A1g-B1g 近简并性类似。在这些能带填充下，位于 和 的两个空穴袋在波矢量 附近显示出近乎平行的费米面片段，其距离随 增加而增大。在引入经 RPA 处理的电子相互作用后，这些片段的袋间嵌套导致了 k 空间中具有相当“局域”特征的配对散射。如果配对是由自旋涨落引起的，那么此处观察到的 A1g 和 B2g 通道之间的相似性应在基于 BiS2 的超导体实验中显现出来。
引用
@article{arxiv.1212.0210,
title = {RPA Analysis of a Two-orbital Model for the BiS2-based Superconductors},
author = {George Martins and Adriana Moreo and Elbio Dagotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.0210},
year = {2013}
}
备注
5 pages + 2 supplemental material