ZnS:Cu 纳米晶中 $\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$ 缺陷的室温量子发射

我们报道了在单个ZnS:Cu纳米晶中观察到的$\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$量子发射器。通过时域门控成像，我们隔离了$\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$缺陷的distinct的、约3微秒的红色光致发光(PL)辐射，使其能够精确识别和统计表征。这些发射器表现出distinct的闪烁和光子抗集，与单个纳米晶包含2-4个$\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$缺陷相一致。量子发射器的PL光谱显示出显著的蓝移，与纳米晶分散相比，这可能是由于光化学和充电效应造成的。发射极化测量与$\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$缺陷的$\sigma$成分光学偶极转移和对称性相符。这些观察结果激励进一步研究$\mathrm{Cu_{Zn}}$-$\mathrm{V_{S}}$缺陷在ZnS纳米晶中的应用，以用于量子技术。