室温下在晶体复杂氧化物界面形成高迁移率二维电子气
材料科学
2013-12-16 v1
摘要
在 TiO2 终止的 SrTiO3 单晶衬底上，实现了室温下尖晶石氧化铝受控的亚单胞层逐层外延生长。通过调控界面氧化还原反应，在该新型氧化物界面获得了迁移率超过 3000 cm2V-1s-1 的二维电子气。
引用
@article{arxiv.1312.3719,
title = {Room temperature formation of high-mobility two-dimensional electron gases at crystalline complex oxide interfaces},
author = {Y. Z. Chen and N. Bovet and T. Kasama and W. W. Gao and S. Yazdi and C. Ma and N. Pryds and S. Linderoth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.3719},
year = {2013}
}
备注
Adv. Mater. published on-line