通过缓冲层工程化的氧化还原反应调控氧化物界面处的二维电子液体
材料科学
2017-10-24 v1
摘要
极性不连续与氧化还原反应为在氧化物界面处创建二维电子液体(2DELs)提供了替代路径。在此，我们报道了涉及SrTiO3 (STO)的界面处的高迁移率2DELs，其利用极性La7/8Sr1/8MnO3 (LSMO)缓冲层来调控室温生长的无序覆盖层的极性与氧化还原反应。利用共振X射线反射实验，我们量化了STO上氧化物覆盖层的氧化还原反应以及外延LSMO/STO界面的极性诱导电子重构。分析揭示了这些效应如何组合在STO/LSMO/无序薄膜三层体系中被用来产生高迁移率调制掺杂2DELs，其中缓冲层经历了从钙钛矿到棕锰矿结构的部分转变。这种通过缓冲层实现的极性不连续与氧化还原反应之间未被揭示的相互作用，为功能氧化物界面的设计提供了新方法。
引用
@article{arxiv.1710.08121,
title = {Tuning the two-dimensional electron liquid at oxide interfaces by buffer-layer-engineered redox reactions},
author = {Y. Z. Chen and R. J. Green and R. Sutarto and F. He and S. Linderoth and G. A. Sawatzky and N. Pryds},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08121},
year = {2017}
}
备注
Nano Letters, 2017