层间耦合在少层磷烯能带边演化中的作用
材料科学
2016-01-28 v3
摘要
利用第一性原理计算，我们研究了少层磷烯能带边随P层数的演化。我们的结果预测，单层磷烯是一种间接带隙半导体，其价带顶对应变极其敏感。在沿zigzag方向仅1%的晶格膨胀下，其带隙即可发生间接到直接的转变。我们提出了一个半经验层间耦合模型，该模型能很好地重现第一性原理计算得到的价带边演化。我们得出结论，层间耦合在能带边演化中起主导作用，即随着磷烯厚度的增加，带隙和载流子有效质量均减小。对轨道分解能带结构的详细检查有助于更好地理解价带顶的上移超过导带底的上移现象。
引用
@article{arxiv.1508.04990,
title = {Role of Interlayer Coupling on the Evolution of Band Edges in Few-Layer Phosphorene},
author = {V. Wang and Y. C. Liu and Y. Kawazoe and W. T. Geng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.04990},
year = {2016}
}
备注
25 pages, 9 figures