螺旋高阶拓扑绝缘体中的RKKY相互作用

我们从理论上研究了螺旋高阶拓扑绝缘体（HOTIs）中的RKKY相互作用，揭示了由夹臂和 Dirac 型bulk载流子所中介的不同行为。我们的发现表明，夹臂中介的相互作用包含 Heisenberg、Ising 和戴维森-莫里亚（DM）项，随着杂质间距 z 的衰减并随费米能 {\epsilon}F 的振荡。这些相互作用在Heisenberg和Ising项中表现出铁磁行为，而DM项则表现出交替行为。相比之下，bulk中介的相互作用包括Heisenberg、扭转Ising和DM项，具有传统的立方振荡衰减。本研究突显了HOTIs中夹臂和bulk RKKY相互作用之间的细致的相互作用，为基于HOTIs的下一代量子器件设计提供了洞见。