薄介电 slab 中屏蔽静电势的严格渐近研究
介观与纳米尺度物理
2019-02-05 v1
摘要
屏蔽库仑势在高激子结合能中起着关键作用，而激子存在于薄介电 slab 中。本文研究当 slab 厚度远小于激子玻尔半径时该势的渐近行为。给出正则化表达式并导出精确的有效二维势。这些表达式可用于计算二维或准二维材料中的激子结合能。
引用
@article{arxiv.1902.01066,
title = {Rigorous asymptotic study of the screened electrostatic potential in a thin dielectric slab},
author = {Didier Felbacq and Emmanuel Rousseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.01066},
year = {2019}
}
备注
ICPS 2018, extended paper