晶格弛豫扁平化 rhombohedral 石墨堆叠中的 Chern 带

针对近期观察到的 rhombohedral 石墨堆叠与六方氮化硼（hBN）对齐的整数和分数 Chern 绝缘体，本文提出并研究了一种模型，其中晶格弛豫产生的层层剪切应变场构成莫尔势。尽管这些应变场随层数指数衰减，但其对远离接触层的电子影响仍不可忽略。在无位移场的情况下，晶格弛豫放大了两种不同堆叠方式相对于hBN的电子差异。尽管这些差异在单电子水平上被削弱，但在所谓的莫尔远距离范数中仍然存续，并在包含电子相互作用后得到进一步放大。我们发现，晶格弛豫在扁平化和孤立一个具有$|C|=1$ Chern 数的谷泵浦化电子带中发挥关键作用。我们的结果挑战了关于这些异质结构莫尔效应的传统观念，说明了远场库仑相互作用与晶格弛豫之间的相互作用，为探索不同扭角和位移场条件下拓扑态的搜索开辟了道路。