21 GHz 下 HIPped MgB2 样品的射频表面电阻
超导电性
2007-05-23 v1
摘要
镁二硫化物(MgB2)因其可能在高磁表面场下不显示射频表面损耗的增加而适用于粒子加速度器的射频腔体应用，这一现象阻止了YBCO等高温超导材料用于此用途。我们测量了使用200 MPa和1000℃进行等离子等离子体压制(HIP)制造的MgB2样品在21 GHz下的射频表面电阻(Rs)。结果表明，使用0.1微米金刚石研磨薄膜后 followed by 1500 psi DI水冲洗于干净的实验室中，Rs在15 K时降低了6.2倍，是与其他已发布数据相比较最低的。Rs数据接近最低温度(~13 K)在0.6和1.3 mOhm之间散布。估计抛光表面的渗透深度和能隙分别为263 nm和1.9-2.7。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310213,
title = {RF Surface Resistance of a HIPped MgB2 Sample at 21 GHz},
author = {T. Tajima and F. L. Krawczyk and J. Liu and D. C. Nguyen and D. L. Schrage and A. Serquis and A. H. Shapiro and V. F. Nesterenko and Y. Gu},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310213},
year = {2007}
}
备注
8 pages, 9 figures, EUCAS2003