溅射装置综合模拟策略综述
计算工程、金融与科学
2012-09-13 v1 等离子体物理
摘要
目前，溅射设施的开发主要通过实验测试或仅依靠该领域的专业知识进行，而对过程环境的数值模拟依赖较少。这导致了巨大的努力以及经验上粗略优化的解决方案：事实上，就现有技术而言，这些装置的模拟在预测整体沉积过程单个步骤的行为方面相当不错，但在整合模拟溅射中涉及的各种现象的工具方面似乎仍有待突破。我们在此总结了目前已有的用于解决溅射设施相关问题的技术和代码，并试图勾勒出一个综合模拟框架的可能特征。该框架应能够整合单个范式，处理从等离子体环境到沉积薄膜的分布和特性等各方面问题，不仅涉及基底表面，还涉及工艺腔室的壁面。
引用
@article{arxiv.1209.2660,
title = {Review of strategies for a comprehensive simulation in sputtering devices},
author = {Antonio A. Gentile},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2660},
year = {2012}
}
备注
16 pages