致密氖气中O₂杂质的共振低能电子附着

我们报道了在温度范围 $46.5\,\mbox{K}\le T\le 101\,\mbox{K}$ 内氖气中 O$_{2}$ 分子杂质发生共振低能电子附着的测量。当电子能量与 O$_{2}^-$ 的第4振动能级共振时，约化附着频率 $\nu_A/N$ 作为气体密度 $N$ 的函数呈现出明确的峰值。在 $46.5\,\mbox{K}\le T\le 48.4\,$K 范围内，在更高得多的密度处探测到第二个峰，这是由于在第5振动能级形成了离子。第一个峰位置的温度依赖性可在离子气泡模型内通过计算机 excess 自由能随 $T$ 和 $N$ 的变化来解释。通过考虑电子能量分布函数随密度的偏移、无序介质中过剩电子的态密度，并假设电子在量级为离子气泡半径的区域内采样气体密度，峰形得到了合理解释。