太阳日冕平板中扭结模的共振阻尼

我们研究了直日冕平板中的共振阻尼扭结模，特别关注横向密度分布（“剖面”）表述的影响。我们在无压强、无重力、电阻磁流体力学框架下工作，并采用耗散本征模视角。密度剖面被限制为一维，但仍允许采取由连接均匀内部与均匀外部的连续过渡层所表征的一般形式。在薄边界极限下导出了色散关系（DR），给出了本征频率的解析表达式，从多方面推广了已知结果。我们发现，相较于薄边界 DR 的数值解，其解析解更能服务于验证我们自洽的电阻解的目的。更重要的是，本征频率被发现对剖面设定敏感，当用一种剖面替代另一种剖面时，虚部与实部之比很容易变化达两倍。我们的本征模计算还在脉冲激发的扭结波背景下进行了考察，表明当激发源的空间尺度与平板半宽度相当时，共振吸收对于足够倾斜的分量十分重要。