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富氢超导体的电阻相变

超导电性 2021-04-23 v3

摘要

临界温度 TcT_c 与转变宽度 Δ\DeltaTcT_c 是超导转变的两个主要参数。后一参数反映了源于热力学涨落、原子无序、外加磁场、次生晶相存在、外加压力等的超导态扰动。最近,Hirsch 和 Marsiglio(2020 arXiv:2012.12796)对几种近室温超导体(NRTS)的转变宽度进行了分析,并报道这些材料中约化转变宽度 Δ\DeltaTcT_c//TcT_c 不遵循低 TcT_c 与高 TcT_c 超导体中观察到的外加磁场下转变宽度展宽的常规趋势。本文我们对高熵合金 (ScZrNb)0.65(ScZrNb)_{0.65}[RhPd]0.35[RhPd]_{0.35} 以及 Im-3m-H3SH_{3}S、C2/m-LaH10LaH_{10} 和 P63/mmc-CeH9CeH_9 等富氢超导体的磁电阻数据 R(T,B)\it{R(T,B)} 进行了详尽的数学分析。我们发现这些材料中的约化转变宽度 Δ\DeltaTcT_c//TcT_c 确实遵循外加磁场下的常规展宽趋势。

关键词

引用

@article{arxiv.2102.00946,
  title  = {Resistive transition of hydrogen-rich superconductors},
  author = {Evgeny F. Talantsev and Karoline Stolze},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2102.00946},
  year   = {2021}
}

备注

32 pages, 13 figures