d 波超导电性对近邻排斥力的韧性
超导电性
2013-10-09 v1
摘要
许多理论方法在高温超导体的原型单带 Hubbard 模型中发现了 d 波超导电性。在强耦合下（U > W，其中 U 是 onsite 排斥力，W=8t 是能带宽度），配对由交换能 J=4t^2/U 控制。人们可能会推测，忽略推迟效应，当近邻库仑排斥力 V 变得大于 J 时，它将破坏超导电性，例如在铜氧化物中这一条件很容易满足。利用带有精确对角化求解器的细胞动力学平均场理论处理扩展 Hubbard 模型，我们表明在强耦合下，只要 V<U/2，即使 V>>J，配对依然得以保持。虽然在弱耦合下 V 总是减少自旋涨落从而削弱 d 波配对，但在强耦合下的欠掺杂区域，由 V 引起的 J=4t^2/(U-V) 的增加增强了低频下的结合，而 V 的配对破坏效应被推至高频。在赝能隙存在的情况下，这两种效应在欠掺杂区域相互补偿。虽然赝能隙与超导电性竞争，但导致赝能隙的 Mott 相变邻近性以及推迟效应，保护了 d 波超导电性免受 V 的影响。
引用
@article{arxiv.1212.4503,
title = {Resilience of d-wave superconductivity to nearest-neighbor repulsion},
author = {D. Sénéchal and A. Day and V. Bouliane and A. -M. S. Tremblay},
journal= {arXiv preprint arXiv:1212.4503},
year = {2013}
}