拓扑绝缘体邻近区的重入超导性
超导电性
2021-06-09 v1
摘要
在本文中，我们研究了二维S/TI（S表示超导体，TI表示拓扑绝缘体）结中临界温度的行为，其中TI表面存在邻近诱导的面内螺旋磁化。基于Matsubara格林函数技术的Usadel方程，采用一般自洽方法计算。我们表明，螺旋磁化的存在导致临界温度随拓扑绝缘体层厚度呈非单调变化。
引用
@article{arxiv.2012.01556,
title = {Reentrant superconductivity in proximity to a topological insulator},
author = {T. Karabassov and A. A. Golubov and V. M. Silkin and V. S. Stolyarov and A. S. Vasenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.01556},
year = {2021}
}
备注
submitted to Physical Review B