基于二维材料与宽禁带半导体的异质结构近期进展
应用物理
2022-04-12 v1 材料科学
摘要
二维(2D)材料在合成与组装方面的近期进展，为原子级薄层薄膜的各类应用奠定了基础。这些二维材料具有丰富多样的性质，如层数依赖的带隙、有趣的自旋自由度以及可变的晶体结构。它们在微纳器件中展现出广阔的应用前景。与此同时，具有高击穿电压、高迁移率和高热导率的宽禁带半导体(WBS)，在高频微波器件、高温高功率电子器件中已显示出重要应用。除对单一二维材料或WBS材料的研究外，多功能2D/WBS异质结构可促进界面处的载流子输运，有望提供新颖的物理现象与应用，并提升电子与光电子器件的性能。本综述中，我们概述二维材料与WBS材料异质结构的优势，并介绍2D/WBS异质结构的构建方法。随后，我们展示2D/WBS异质结构在光电探测器、光催化、传感器及能源相关器件中应用的多样性与近期进展。最后，我们提出2D/WBS异质结构当前面临的挑战，并展望未来的有前景研究方向。
引用
@article{arxiv.2203.03895,
title = {Recent Progress of Heterostructures Based on Two Dimensional Materials and Wide Bandgap Semiconductors},
author = {Ying Liu and Yanjun Fang and Deren Yang and Xiaodong Pi and Peijian Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.03895},
year = {2022}
}