单个单壁碳纳米管器件并行制备的最新进展
介观与纳米尺度物理
2014-05-06 v1
摘要
单壁碳纳米管（SWNTs）因其卓越的物理和电子特性而引起了巨大的研究兴趣。特别是，使用单个 SWNT 制造的电子器件显示出超越硅基器件的出色性能。然而，为了实现基于 SWNT 的电子器件的广泛应用，需要并行制备技术以及与互补金属氧化物半导体（CMOS）的兼容性。交流介电泳（DEP）是一种具有潜力以并行方式将 SWNT 集成到电路选定位置的技术。在本文中，我们回顾了利用 DEP 并行制备基于 SWNT 器件的最新进展。综述首先介绍了 DEP 的理论背景，然后讨论了影响 SWNT 的 DEP 组装的各种参数。我们还回顾了 DEP 组装器件的电子输运性质，并表明可以利用 DEP 制造高性能器件。此外，还回顾了利用 DEP 制造全半导体场效应晶体管的技术。最后，我们讨论了 SWNT 的 DEP 组装所面临的挑战和机遇。
引用
@article{arxiv.1405.0551,
title = {Recent progress in parallel fabrication of individual single walled carbon nanotube devices},
author = {Muhammad R. Islam and Saiful I. Khondaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.0551},
year = {2014}
}