介电泳实现碳纳米管阵列的超高密度排列

Shashank Shekhar; Paul Stokes; Saiful I. Khondaker

介电泳实现碳纳米管阵列的超高密度排列

介观与纳米尺度物理 2011-01-13 v1

作者: Shashank Shekhar , Paul Stokes , Saiful I. Khondaker

摘要

我们报道了利用高质量无表面活性剂且稳定的单壁碳纳米管(SWNT)溶液，通过交流介电泳实现排列整齐的单壁碳纳米管二维阵列的超高密度组装。在优化频率和捕获时间后，通过调节溶液中纳米管的浓度，我们可以可重复地控制预制备电极之间SWNT的线性密度，范围从0.5 SWNT/μm到超过30 SWNT/μm。我们达到的最大密度30 SWNT/μm是迄今为止通过任何溶液处理技术报道的排列阵列中的最高值。进一步增加SWNT浓度会导致多层致密阵列。我们讨论了纳米管的取向和密度如何随浓度和通道长度变化。电学测量数据表明，密集排列的阵列具有低薄层电阻。通过受控电击穿选择性去除金属性SWNT，制备出了具有高电流开关比的场效应晶体管(FET)。本文报道的超高密度排列将对制造用于数字和模拟电子学的高质量器件具有重要意义。

关键词

介电泳碳纳米管阵列超高密度排列单壁碳纳米管场效应晶体管电击穿

引用

@article{arxiv.1101.2237,
  title  = {Ultra-high density alignment of carbon nanotubes array by dielectrophoresis},
  author = {Shashank Shekhar and Paul Stokes and Saiful I. Khondaker},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1101.2237},
  year   = {2011}
}

备注

12 Pages, 8 figures

介电泳实现碳纳米管阵列的超高密度排列

摘要

关键词

引用

备注

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