单层-扭转双层石墨烯结的实现与输运研究
介观与纳米尺度物理
2020-04-17 v2
摘要
我们报道了单层石墨烯（SLG）-扭转双层石墨烯（tBLG）结器件的低温输运研究。器件中的 SLG-tBLG 结通过化学气相沉积生长，器件制备于 Si/SiO 衬底上的霍尔棒构型中。我们测量了霍尔棒两侧跨越 SLG-tBLG 结的纵向电阻（结间电阻）以及器件中 SLG 和 tBLG 的霍尔电阻。在量子霍尔区，测量表明所测得的结间电阻呈现一系列新的量子化平台，这些电阻平台的出现可归因于沿 SLG-tBLG 结界面存在的明确边缘通道输运。测量还表明，霍尔棒两侧测得的结间电阻之差，对构成 SLG-tBLG 结的两层石墨烯中的边缘通道输运特性以及 tBLG 层中朗道能级的简并解除提供了灵敏的度量。我们还进行了量子霍尔区结间电阻的温度依赖测量，并提取了体朗道能级的横向输运对沿 SLG-tBLG 结界面边缘通道输运的影响。这些结果丰富了对石墨烯杂化结构中跨界面电荷输运的理解，并为探测石墨烯器件中的奇异量子现象开辟了新机遇。
引用
@article{arxiv.2003.02564,
title = {Realization and transport investigation of a single layer-twisted bilayer graphene junction},
author = {Dingran Rui and Luzhao Sun and N. Kang and Jiayu Li and Li Lin and Hailin Peng and Zhongfan Liu and H. Q. Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.02564},
year = {2020}
}
备注
20 pages, 4 figures