通过栅极定义的莫尔势垒实现扭曲双层石墨烯中的电子准直
介观与纳米尺度物理
2024-04-02 v1
摘要
通过石墨烯 pn 结实现的电子准直，允许对弹道电子轨迹进行类似于光路电路的静电控制。在扭曲双层石墨烯 (tBLG) 中对新型关联电子相进行类似操控，可以为底层物理提供额外探针，并为先进量子电子学提供器件组件。在本工作中，我们利用莫尔超晶格的能带绝缘体带隙，展示了在 tBLG 器件中通过栅极定义的莫尔势垒对电子流的准直。单个结可以被调节以承载常规赝势垒和莫尔隧穿势垒的选定组合，由此我们展示了改善的准直效率。通过测量间隔 1 um 的两个连续莫尔准直器之间的输运，我们展示了在存在现实扭角不均匀性的 tBLG 中电子准直的证据。
引用
@article{arxiv.2404.00519,
title = {Electron Collimation in Twisted Bilayer Graphene via Gate-defined Moir\'e Barriers},
author = {Wei Ren and Xi Zhang and Ziyan Zhu and Moosa Khan and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Efthimios Kaxiras and Mitchell Luskin and Ke Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2404.00519},
year = {2024}
}