吸积盘的辐射转移与临边昏暗

在有限光学深度的平面平行近似下，重新审视了几何薄吸积盘中的转移方程。解析得到了有无内部加热情况下的出射强度。对于大或无限光学深度，出射强度表现出通常的临边昏暗效应，其中强度随方向余弦线性变化。另一方面，对于小光学深度，出射强度的角度依赖性发生剧烈变化。在没有加热但在盘赤道处具有均匀入射辐射的情况下，小光学深度时的出射强度变为各向同性。在具有均匀内部加热的情况下，小光学深度时发生临边增亮效应。我们还强调并讨论了多种情况下吸积盘中的临边昏暗效应。