V2O3 中的准粒子演化与赝能隙形成：红外光谱研究
强关联电子
2009-11-13 v2 材料科学
摘要
我们在整个相图上测量了 V2O3 的红外电导率。准粒子出现在 Neel 温度 TN 之上，并随着温度进一步升高而最终消失，导致在 425 K 以上的光谱中形成赝能隙。我们的计算表明，只有考虑晶格参数的温度依赖性，才能解释这种相干性的丧失。因此，随着温度升高，V2O3 实际上是从 Mott 转变的金属侧被驱动到了绝缘侧。
引用
@article{arxiv.0710.1247,
title = {Quasiparticle evolution and pseudogap formation in V2O3: An infrared spectroscopy study},
author = {L. Baldassarre and A. Perucchi and D. Nicoletti and A. Toschi and G. Sangiovanni and K. Held and M. Capone and M. Ortolani and L. Malavasi and M. Marsi and P. Metcalf and P. Postorino and S. Lupi},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.1247},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 3 figures