II-VI 磁性半导体异质结构中的"准二维"自旋分布：团簇与维度
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1 材料科学
摘要
稀释磁性半导体（DMS）中的自旋团簇源于相邻磁性阳离子之间的反铁磁交换，它是约化维度的强函数。然而，通过外延生长的 DMS 单层和突变界面由于生长过程中原子不可避免的单层间混合而从不完全二维。因此，具有强自旋团簇效应的 DMS 异质结构的磁化强度介于二维和三维自旋分布之间。我们给出了适用于生长方向任意自旋分布的自旋团簇精确计算。结果揭示了磁化强度对单层间混合剖面形式的惊人不敏感性，并确定了最大可能磁化强度的重要限制。含有"准二维"自旋分布的异质结构的高场光学研究结果与计算进行了比较。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0001378,
title = {"Quasi two-dimensional" spin distributions in II-VI magnetic semiconductor heterostructures: Clustering and dimensionality},
author = {S. A. Crooker and N. Samarth and D. D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0001378},
year = {2009}
}
备注
5 pages (RevTeX), 5 embedded EPS figs, published in PRB v61 p1736 (2000)