半导体微腔中时间调制真空拉比频率的量子真空辐射谱
其他凝聚态物理
2015-06-25 v1
摘要
本文发展了一种关于由任意时间调制真空拉比频率产生的量子真空辐射的通用理论，针对掺杂量子阱体系嵌入半导体平面微腔中的离子能级跃迁。模型中包含非辐射和辐射损耗，基于输入-输出量子朗道框架构建。讨论了真空调制幅度和频率对额外腔内发射强度及主要谱特征的影响。结果表明，在实际参数下可产生大量光子对，其红外中远端辐射强度可显著超过黑体辐射。对于大幅值共振调制，可实现参数振荡 regime。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0611282,
title = {Quantum vacuum radiation spectra from a semiconductor microcavity with a time-modulated vacuum Rabi frequency},
author = {Simone De Liberato and Cristiano Ciuti and Iacopo Carusotto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0611282},
year = {2015}
}