通过“电荷”Kondo 电路的量子输运：Luttinger 液体中弱排斥相互作用的效应

我们从理论上研究了通过“电荷”Kondo 电路的量子输运，该电路由量子点（QD）构成，量子点弱耦合到温度为 $T+\Delta T$ 的电极，并通过单模量子点接触（QPC）强连接到参考温度 $T$ 的另一电极。为了考虑在整数量子霍尔区工作的 QD-QPC 装置中的库仑相互作用效应，我们用由 Luttinger 参数 $g$ 表征的 Luttinger 模型来描述量子电路中的边缘电流。结果表明，电导 $G\propto T^{2/g}$ 和热电系数 $G_T\propto T^{1+2/g}$ 的温度依赖关系均偏离费米液体（FL）理论的预测。相比之下，单通道 Kondo 效应 regime 中的热电功率 $S=G_T/G\propto T$ 的行为与 FL 范式一致。我们证明，QD 中的介观库仑阻塞与 Luttinger 液体中的弱排斥相互作用 $g=1-\alpha$ $(\alpha \ll 1)$ 之间的相互作用导致了热功率的增强。这种增强归因于破坏性量子干涉效应对“电荷”电路中 Kondo 关联的抑制。