在结量子阱中实现的量子自旋霍尔态和量子反常霍尔态
介观与纳米尺度物理
2014-05-29 v1
摘要
量子自旋霍尔态和量子反常霍尔态都是具有广阔应用前景的新型量子物质态。我们提出由 II-VI、III-V 或 IV 族半导体组成的结量子阱，作为实现量子自旋霍尔态的一大类新材料。特别是，我们发现量子自旋霍尔态的体能隙可高达 0.1 eV。此外，由于能带反转区域中的能带边缘奇异性，磁性掺杂会在这些结量子阱中诱导铁磁性，从而实现量子反常霍尔态。
引用
@article{arxiv.1402.5167,
title = {Quantum Spin Hall and Quantum Anomalous Hall States Realized in Junction Quantum Wells},
author = {Haijun Zhang and Yong Xu and Jing Wang and Shou-Cheng Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.5167},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures