量子尺寸效应对二维半导体化学传感性能的影响
介观与纳米尺度物理
2012-04-23 v1 量子物理
摘要
我们研究了量子限域效应对基于二维 InAs 薄膜的气体传感器性能的作用。配置为 H2 传感器的 Pd 修饰 InAs 薄膜表现出强烈的厚度依赖性，当厚度从 48 nm 减小到 8 nm 时，传感器响应增强了约 100 倍。通过详细的实验和建模，我们将这种厚度缩放趋势归因于电子的量子化，这种量子化有利地改变了载流子的位置和输运性质，从而使它们更容易受到表面现象的影响。
引用
@article{arxiv.1204.4461,
title = {Quantum Size Effects on the Chemical Sensing Performance of Two-Dimensional Semiconductors},
author = {Junghyo Nah and S. Bala Kumar and Hui Fang and Yu-Ze Chen and Elena Plis and Yu-Lun Chueh and Sanjay Krishna and Jing Guo and Ali Javey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1204.4461},
year = {2012}
}