固体4He中3He杂质与4He填隙原子的量子模拟
统计力学
2013-01-01 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们利用路径积分蒙特卡罗(PIMC)模拟研究了二维和三维固体4He中单个3He杂质原子和单个4He填隙原子的作用。我们发现，当引入替代式3He杂质时，杂质会局域化并占据理想的晶格格点。当在4He固体中引入填隙式3He杂质时，我们发现该杂质会局域在替代位置，从而将额外的4He原子推入填隙空间。因此，对于含有填隙杂质的4He固体，其单体密度矩阵(OBDM)和超流分数与含有4He填隙原子的4He固体计算所得结果非常相似。即，对于“纯”固体，非对角OBDM随粒子位移增大呈指数衰减至零，而一个4He填隙原子或一个3He杂质似乎在长距离上增强了它。最后，我们估算了二维和三维晶体4He中3He杂质准粒子的有效质量。
引用
@article{arxiv.1009.3039,
title = {Quantum simulation of 3He impurities and of 4He interstitials in solid 4He},
author = {Keola Wierschem and Efstratios Manousakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1009.3039},
year = {2013}
}
备注
Latex manuscript contains 8 double-column pages and 12 figures