3He杂质对4He薄膜质量退耦的影响
其他凝聚态物理
2020-09-23 v1
摘要
我们对涂有少量3He(至多0.40 atoms/nm2)的Grafoil(膨胀石墨)上超流4He薄膜进行了5 MHz AT切石英晶体微天平实验。我们发现，即便少量3He掺杂，其对振荡衬底的质量退耦也相当敏感。在29.3 atoms/nm2的4He薄膜中，我们在小振幅下于T3约0.4 K处观察到共振频率的微小下降，这归因于3He原子黏附于4He固态原子层。在大振幅下，4He固态层在接近T3的TR处表现出重入性质量退耦。该退耦可由3He原子在刃位错上的吸附抑制超流反向流来解释。随着4He面密度增加，TR向低温移动，并在约39.0 atoms/nm2的4He薄膜附近消失。
引用
@article{arxiv.1912.12801,
title = {Effect of 3He impurities on the mass decoupling of 4He films},
author = {Kenji Ishibashi and Jo Hiraide and Junko Taniguchi and Tomoki Minoguchi and Masaru Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.12801},
year = {2020}
}