半导体纳米柱中费米能级钉扎和掺杂分布导致的量子点接触
其他凝聚态物理
2009-11-11 v1
摘要
我们表明,纳米柱内部的纳米级掺杂分布与表面的费米能级钉扎相结合,会导致势垒剖面中出现鞍点。因此,通道内的横向限制沿输运方向变化,从而产生一个内嵌的量子点接触。我们将给出量子化能量的解析估算。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609057,
title = {Quantum point contact due to Fermi-level pinning and doping profiles in semiconductor nanocolumns},
author = {K. M. Indlekofer and M. Goryll and J. Wensorra and M. I. Lepsa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609057},
year = {2009}
}