孤子畴壁的量子对产生
强关联电子
2008-11-26 v1
摘要
大量实验证据表明，伴随着孤子畴壁的量子对产生，假真空的衰变可能发生在多种凝聚态系统中。例子包括密度波中电荷孤子对的成核[例如 J. H. Miller, Jr. 等人，Phys. Rev. Lett. 84, 1555 (2000)]以及长约瑟夫森结中的磁通孤子对。最近，Dias 和 Lemos [J. Math. Phys. 42, 3292 (2001)] 认为，在对产生率的表达式中，孤子的质量 应分别被解释为 (2+1) 维和 (3+1) 维系统的线密度和面密度。随着横向尺寸的增加和总质量（能量）变大，热激活受到抑制，因此即使在相对较高的温度下，量子过程也能占主导地位。本文将讨论高温集体量子现象存在的实验证据和理论论证。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0302311,
title = {Quantum Pair Creation of Soliton Domain Walls},
author = {J. H. Miller and G. Cardenas and A. Garcia-Perez and W. More and A. W. Beckwith},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0302311},
year = {2008}
}