全息超流体中的非均匀结构：I. 暗孤子

我们开始研究全息超流体中的非均匀结构。作为第一个例子，我们研究了3+1维爱因斯坦-麦克斯韦-希格斯理论中的畴壁状缺陷，该理论是作为全息超导体的对偶模型而发展的。在文献[1]中，我们报道了全息超流体中的此类“暗孤子”。在本工作中，我们在探针极限下对其性质进行了广泛的数值研究。我们为两种可能的凝聚算符构建了暗孤子，并发现它们都与标准超流体中的对应物具有共同特征。然而，两者都以两个不同的相干长度尺度（一个用于序参量，一个用于电荷凝聚体）为特征。我们研究了相对电荷耗尽因子，发现两种不同凝聚体中的孤子具有非常不同的耗尽特性。我们还研究了全息超流体之上的准粒子激发，并发现激发的尺度与孤子相干长度尺度相当。