HeH$^{2+}$分子在均匀与等离激元增强激光场中高次谐波产生的量子力学研究

从理论上研究了分子离子 HeH$^{2+}$ 在 $1s\sigma$（基态）和 $2p\sigma$（第一激发态）两个初态下，在均匀和等离激元增强激光场中的高次谐波产生(HHG)。研究了以基态和第一激发态为初态时的电子电离以及 HHG 产额增强，并发现了 $2p\sigma$ 态电子电离的强取向效应，该效应可用于在高谐波发射期间使第一激发态电子具有更长寿命，这导致了 HHG 产额增强。为研究等离激元场对 HHG 谱截止位置的影响，首先计算了纳米天线中激光场的增强，然后通过求解含时 Schr\"{o}dinger 方程研究了增强场与 HeH$^{2+}$ 分子的相互作用。根据结果，当处于 $2p\sigma$ 初态的 HeH$^{2+}$ 分子被等离激元偏振激光场（偏振方向垂直于分子轴）照射时，HHG 产额和截止位置均增强，同时激发态在 HHG 过程中具有长寿命。