反铁磁拓扑绝缘体 MnBi$_2$Te$_4$ 自旋重取向转变中的量子效应
强关联电子
2025-05-29 v1
摘要
研究表明，拓扑反铁磁体 MnBiTe 在垂直于锰离子层的外加磁场下，其实验探测到的低温磁化强度行为特征是由晶体场三重对称分量的非对角性质诱导的量子效应所致。在这种情况下，材料在自旋重取向转变前以及转变后处于“塌缩”亚晶格相中的磁化强度异常增加，可由量子效应贡献的抑制来解释。将理论分析结果与实验数据进行比较，使得精化 MnBiTe 有效自旋模型的参数成为可能，并确立了上述三重对称分量的重要作用。
引用
@article{arxiv.2505.22185,
title = {Quantum Effects at a Spin-Flop Transition in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi$_2$Te$_4$},
author = {V. V. Val'kov and A. O. Zlotnikov and A. Gamov and N. A. Fedorova and F. N. Tomilin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.22185},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 3 figures, Open access publication