磁性拓扑绝缘体可重构畴壁上的量子化手性边缘传导
介观与纳米尺度物理
2018-02-07 v1
摘要
磁性材料与介电材料中的电子序形成具有不同序参数符号的畴。对畴壁（DWs）位形与运动的控制，使其能够对微弱外场产生巨大的非易失性响应，构成了当代电子学的基础。作为畴壁功能概念的延伸，我们在拓扑绝缘体（TI）的磁性畴壁上实现了一维量子化传导。当每个磁畴均处于量子反常霍尔态时，磁性拓扑绝缘体的畴壁被预测可承载无耗散性质的手性边缘态（CES）。我们利用磁力显微镜探针在磁性拓扑绝缘体薄膜中设计并制备了磁畴，并明确证明了沿预设畴壁存在手性一维边缘传导。基于可重构手性边缘态与 Landauer-Buttiker 形式体系的原理验证器件，在具有明确定义畴壁通道的多畴结构中得到了展示。
引用
@article{arxiv.1707.09105,
title = {Quantized chiral edge conduction on reconfigurable domain walls of a magnetic topological insulator},
author = {K. Yasuda and M. Mogi and R. Yoshimi and A. Tsukazaki and K. S. Takahashi and M. Kawasaki and F. Kagawa and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.09105},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 4 figures