镓掺杂氧化锌中的纯自旋流输运
介观与纳米尺度物理
2017-03-08 v1
摘要
我们通过测量由铋取代钇铁石榴石（Bi:YIG）、镓掺杂氧化锌（Ga:ZnO）和铂组成的薄膜三层样品中的自旋霍尔磁电阻（SMR），研究了纯自旋流通过氧化锌的流动。我们研究了SMR大小对Ga:ZnO中间层厚度的依赖关系，并与Bi:YIG/Pt双层结构进行比较。我们发现插入Ga:ZnO中间层后SMR大小降低了几乎一个数量级，并随中间层厚度增加持续减小。然而，即使对于 厚的Ga:ZnO中间层，SMR仍保持有限值。这些结果表明纯自旋流确实可以穿过几纳米厚的简并掺杂氧化锌层。我们还观察到三层与双层相比SMR的温度和场依赖性的差异。最后，我们将我们的数据与基于自旋扩散的模型预测进行比较。这表明界面电阻在这些三层结构的SMR大小中起着关键作用。
引用
@article{arxiv.1612.07239,
title = {Pure spin current transport in gallium doped zinc oxide},
author = {Matthias Althammer and Joynarayan Mukherjee and Stephan Geprägs and Sebastian T. B. Goennenwein and Matthias Opel and M. S. Ramachandra Rao and Rudolf Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.07239},
year = {2017}
}