过掺杂 Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+x}$ 层间隧穿中揭示的赝能隙行为
超导电性
2009-11-13 v1
摘要
我们报告了对过掺杂 BiSrCaCuO 本征结堆栈进行的加热补偿层间隧穿谱 (ITS) 研究，其中消除了 ITS 中大部分由偏压引起的加热效应。在电子激发谱的驼峰结构中揭示的赝能隙 (PG) 起始温度，对于我们的过掺杂本征结而言接近室温，这代表了真实的 PG 起始点。在低于但接近 的温度下，超导相干峰和赝能隙驼峰共存，表明这两个能隙具有不同的起源。驼峰电压在 以下随超导能隙电压增加，由此得出结论：我们 ITS 中 以下的驼峰结构源于两种不同特征的准粒子谱权重的综合贡献；一种来自超导态，另一种来自反节点区域附近的 PG 态。
引用
@article{arxiv.0803.2457,
title = {Pseudogap Behavior Revealed in Interlayer Tunneling in Overdoped Bi$_2$Sr$_2$CaCu$_2$O$_{8+x}$},
author = {Myung-Ho Bae and Jae-Hyun Park and Jae-Hyun Choi and Hu-Jong Lee and Kee-Su Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:0803.2457},
year = {2009}
}
备注
accepted in Phys. Rev. B