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铈基镍磷化物中稀载流子密度下的延展近藤相干

强关联电子 2024-09-25 v1

摘要

Nozières 的耗尽理论指出,在近藤晶格中相干屏蔽所有局域磁矩的温度,可能远低于在传导电子数目不足时单磁矩屏蔽的温度。最近的实验 [Luo et al, PNAS, 112,13520 (2015)] 表明,低载流子密度的铈基镍磷化物 CeNi2δAs2(δ0.28)CeNi_{2-\delta}As_2 (\delta\approx0.28) 是检验此类延展近藤屏蔽的理想材料。利用密度泛函理论和动力学平均场理论,我们计算了顺磁态 CeNi2As2CeNi_2As_2/CeNi2P2CeNi_2P_2 各自的电子结构。与结构类似的层状铁磷化物相比,当前体系的电子结构表现出很强的三维性,且 Ni-3d 电子对载流子密度的贡献极小。此外,我们在压缩的 CeNi2As2CeNi_2As_2CeNi2P2CeNi_2P_2 中于低温下发现了显著的近藤共振峰,并伴随费米面的拓扑变化。我们还发现通过等价 As\rightarrowP 替代的化学压力驱动的 CeNi2As2CeNi_2As_2 中类似的量子相变。

关键词

引用

@article{arxiv.1909.13251,
  title  = {Protracted Kondo coherence with dilute carrier density in Cerium based nickel pnictides},
  author = {Peng Zhang and Bo Liu and Shengli Zhang and K. Haule and Jianhui Dai},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1909.13251},
  year   = {2024}
}