关于向拓扑绝缘体边缘按需注入极化电子源的提议
介观与纳米尺度物理
2013-12-13 v4
摘要
我们提出了一种器件，允许将自旋极化电子对发射到二维拓扑绝缘体的边缘态中。电荷和自旋发射是通过一个周期性驱动的量子点实现的，该量子点与宿主拓扑绝缘体的边缘态弱耦合。我们利用 Floquet 散射矩阵方法，展示了这种动力学散射体发射的随时间变化的电荷流和自旋流的计算结果。自旋极化双粒子发射的实验特征可以在噪声测量中找到。在此，我们引入了一种名为 --反聚束的新形式噪声抑制。此外，我们提出了一种方案，在其中产生发射电子的纠缠。这种纠缠基于后选择程序，并表现为对 Clauser-Horne-Shimony-Holt 不等式的违背。
引用
@article{arxiv.1307.1198,
title = {Proposal for an on-demand source of polarized electrons into the edges of a topological insulator},
author = {Andreas Inhofer and Dario Bercioux},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.1198},
year = {2013}
}
备注
10 pages + 7 figures