拓扑绝缘体与量子点系统中的随机自旋轨道门
介观与纳米尺度物理
2023-01-04 v1 量子物理
摘要
研究了拓扑绝缘体与量子点系统中的自旋相关散射过程。该幺正散射过程被视为对两电子初始态施加的门变换。由于杂质及合金化引起的能带参数效应所带来的随机性，采用了随机幺正门的形式体系。为量化系统中的纠缠，我们探讨了并发度与系综平均 R\'enyi 熵。我们发现，施加的外磁场导致在远大于限域长度的距离上出现长程纠缠。我们表明，巡游电子的拓扑特性支撑了鲁棒的长距离纠缠的形成，其即便在强无序存在下依然存续。
引用
@article{arxiv.2212.11026,
title = {Random spin-orbit gates in the system of a Topological insulator and a Quantum dot},
author = {S. Wolski and M. Inglot and C. Jasiukiewicz and K. A. Kouzakov and T. Masłowski and T. Szczepański and S. Stagraczyński and R. Stagraczyński and V. K. Dugaev and L. Chotorlishvili},
journal= {arXiv preprint arXiv:2212.11026},
year = {2023}
}
备注
12 pages, 8 figures,