具有反点阵列的介观超导体中的电流分布与拥挤效应

过去几十年中，介观超导材料的研究取得了显著进展。此类系统的应用之一是单光子和单电子探测器。然而，取决于这些系统的几何结构，会发生电流拥挤效应，从而导致总临界电流降低，进而促进涡旋的穿透。这种效应也可能是宏观样品中磁通雪崩各种穿透形态的原因。因此，在本工作中，我们利用含时 Ginzburg-Landau 理论研究了具有反点阵列的介观超导系统中的电流拥挤效应。研究表明，电流分布受到反点的影响，即在反点的顶点处电流强度增加。另一方面，反点间距更小的较小系统中，反点之间的电流分布受到的影响更为显著。