探测射频辐照下基于拓扑绝缘体的约瑟夫森结中的微小能隙
介观与纳米尺度物理
2019-12-10 v1
摘要
近来，一种接触电阻测量方法被开发出来，用于探测构建在三维拓扑绝缘体（3D TIs）表面的约瑟夫森结中的微小能隙，进而探测安德烈夫束缚态（ABSs）。本工作中，我们进一步将该法推广至存在射频（rf）辐照的情形。我们发现，随着 rf 功率增大，测得的微小能隙变宽并延伸至更高能量，其方式与夏皮罗台阶区外边界对 rf 功率的依赖类似。我们表明，rf 辐照下的相应接触电阻数据可借助电阻分流约瑟夫森结模型（RSJ 模型）与 Blonder-Tinkham-Klapwijk（BTK）理论得到很好解释。我们的发现可有助于在 rf 辐照下利用接触电阻测量方法研究基于拓扑绝缘体的约瑟夫森结中的马约拉纳相关物理。
引用
@article{arxiv.1908.05010,
title = {Probing the minigap in topological insulator-based Josephson junctions under radio frequency irradiation},
author = {Guang Yang and Zhaozheng Lyu and Xiang Zhang and Fanming Qu and Li Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.05010},
year = {2019}
}