利用像差校正电子显微术探测 Ga2SeTe2 中二维有序空位结构的局域环境
材料科学
2015-06-18 v1
摘要
具有高浓度本征空位的硫系合金因其在热电和相变材料中的优异性能而备受关注。最近，空位有序化已被确认为 GeSb2Te4 中观察到的金属-绝缘体转变以及 Ga2Te3 中异常低热导率的机制。本文报道了利用像差校正电子显微术对 Ga2SeTe2 中空位有序化的直接观测。图像揭示了与整个晶体中空位有序化容纳相关的阳离子-阴离子哑铃反转。这一结果生动展示了本征缺陷与局域结构之间的相互作用。
引用
@article{arxiv.1312.5387,
title = {Probing the local environment of two-dimensional ordered vacancy structures in Ga2SeTe2 via aberration-corrected electron microscopy},
author = {Najeb Abdul-Jabbar and Peter Ercius and Ronald Gronsky and Edith Bourret-Courchesne and Brian Wirth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.5387},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 5 figures