高 $T_c$ 超导体赝能隙与临界温度的压力研究
超导电性
2009-11-07 v2 强关联电子
摘要
本文通过对最佳掺杂的高 氧化物 进行电阻率测量，报告了在流体静压力下对临界温度 和赝能隙温度 的同时研究。在 1GPa 以下的多个不同外加压力下，测量了电阻率随温度的函数关系。我们发现 和 均随压力线性增加。这一结果表明，众所周知的 内禀压力效应在 处同样存在，且这两个温度源于相同的超导机制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110462,
title = {Pressure Studies on a High-$T_c$ Superconductor Pseudogap and Critical Temperatures},
author = {E. V. L. de Mello and M. T. D. Orlando and J. L. Gonzaléz and E. S. Caixeiro and E. Baggio-Saittovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110462},
year = {2009}
}
备注
4 pages and 2 figures in eps, final version