静水压对轻微掺杂 YBa2Cu3O7-{\delta} 单晶赝能隙的影响
超导电性
2017-08-09 v1
摘要
本文研究了最高至 P=1.05 GPa 的静水压对轻微掺杂 YBa2Cu3O7- 单晶(, )的电阻率 R、过剩电导率 和赝能隙 的影响。研究发现,临界温度 Tc 随压力增加而升高的速率为 dTc/dP = 5.1 K/GPa,而 R(300)K 减小的速率为 d(ln R)/dP = 0.19% 1/GPa。在 Tc 附近, 不受压力影响,可由 Aslamasov-Larkin 和 Hikami-Larkin 涨落理论很好地描述,表明随温度升高发生了 3D-2D 跨越。跨越温度 To 确定了在 P=0 时沿 c 轴的相干长度 ,且发现该长度随 P 增加而减小。同时, 和 BCS 比值 均随静水压增加而增大,速率为 ,这意味着耦合强度随 P 增加而增强。在低于 Tp 的低温下, 曲线的形状几乎与压力无关。在高温下, 曲线的形状随 P 增加发生显著变化,表明压力对晶格动力学有强烈影响。这种异常行为是首次被观察到。
引用
@article{arxiv.1708.00340,
title = {Hydrostatic-pressure effects on the pseudogap in slightly doped YBa2Cu3O7-{\delta} single crystals},
author = {A. L. Solovjov and L. V. Omelchenko and R. V. Vovk and O. V. Dobrovolskiy and D. M. Sergeyev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.00340},
year = {2017}
}
备注
13 hages, 11 figures