压力诱导的Cu3N金属化
材料科学
2009-11-11 v1
摘要
我们采用精确的全势密度泛函理论和线性化增广平面波方法研究了高压下Cu3N的电子性质和可能的相变。反钙钛矿结构的Cu3N在环境压力下是一种具有小间接带隙的半导体。随着压力增加，带隙变窄，半导体性的反ReO3结构在约8.0 GPa的压力下经历半导体到半金属的转变。在更高压力下，超过15GPa时，可能发生随后的半金属到金属的转变，并伴随从反ReO3结构到Cu3Au结构的结构相变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504421,
title = {Pressure induced metallization of Cu3N},
author = {Wen Yu and Linyan Li and Changqing Jin},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504421},
year = {2009}
}