Co 掺杂 Ba-122 单晶上混合约瑟夫森结的制备
超导电性
2014-06-24 v2
摘要
本文介绍了一种在 Co 掺杂 BaFe2As2 (Ba-122) 单晶上制备混合约瑟夫森结的方法，该结具有薄膜 Pb 对电极和 TiOx 势垒层。该方法包括晶体的平整与抛光，以及利用光刻、溅射和离子束刻蚀 (IBE) 等薄膜技术对其进行结构化处理。所制备的结显示出具有磁滞的电阻和电容分流结 (RCSJ) 型 I-V 特性，其 IcRn 乘积约为 800uV。
引用
@article{arxiv.1403.6152,
title = {Preparation of hybrid Josephson junctions on Co-doped Ba-122 single crystals},
author = {D. Reifert and N. Hasan and S. Doering and S. Schmidt and M. Monecke and M. Feltz and F. Schmidl and V. Tympel and W. Wisniewski and I. Moench and T. Wolf and P. Seidel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.6152},
year = {2014}
}