采用双面制备技术的单个本征约瑟夫森结
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
我们在极薄（~nm） 单晶的体相中制备了本征约瑟夫森结（IJJs）堆栈。通过在双面制备过程中精确控制蚀刻深度，可以可重复地定制堆栈为任意微观高度（），即包含指定数量的 IJJ（0-6），包括单个结这一重要情况。我们讨论了样品在高偏压下的电流-电压特性中可重复的类能隙特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0605475,
title = {A single intrinsic Josephson junction with double-sided fabrication technique},
author = {L. X. You and M. Torstensson and A. Yurgens and D. Winkler and C. T. Lin and B. Liang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0605475},
year = {2009}
}
备注
3 pages, 4 figures, to be published in APL May. 29